Это прорыв для российской микроэлектроники, ранее зависевшей от импорта подобного оборудования. Отечественные аналоги могли обрабатывать только пластины меньшего размера, что снижало эффективность производства и увеличивало стоимость чипов.
Ключевые особенности разработки:
- Поддержка 350-нм техпроцессов и перспективных норм до 28 нм;
- Модульная конструкция — 4 технологических модуля объединены роботизированной транспортной системой;
- Собственное ПО и система управления, созданные специалистами НИИТМ.
Проект стартовал в 2021 году, и уже в 2025 году установку планируют испытать в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ). Интересно, что в НИИМЭ параллельно разрабатывают кластер для техпроцессов 90-65 нм, что может стать следующим этапом в локализации микроэлектронных производств.
Почему это важно?
Обработка 300-мм пластин позволяет выпускать больше чипов за цикл, сокращая затраты и повышая конкурентоспособность. Внедрение таких установок — ключевой шаг к созданию полного цикла производства микроэлектроники в России, снижая зависимость от зарубежных поставок.
— Мы не просто заменили импорт — мы заложили основу для будущих технологических рывков, — отметили в НИИТМ.
Разработка открывает путь к выпуску современных процессоров, сенсоров и чипов памяти, критически важных для телекоммуникаций, оборонной промышленности и умной электроники.